三星的新型闪存写入速度是原来的两倍

三星开发了它声称是业界性能最高的通用闪存 (UFS)。它被称为 UFS 4.0，其速度是上一代产品的两倍，读取速度高达 4,200MB/s，写入速度高达 2,800MB/s。

UFS 4.0 不仅比上一代更快，而且三星还表示它消耗的电量也更少。因此，该公司表示，它将作为未来移动存储解决方案的核心，将对智能手机性能产生巨大影响，也可能对增强现实 (AR) 和虚拟现实 (VR) 硬件产生重大影响。

三星表示，UFS 4.0 采用紧凑型封装，仅占用 11 毫米 x 13 毫米 x 1 毫米的空间，可支持高达 1 TB 的容量。这 1 TB 可以提供每 mA 6 MB/s 的顺序读取速度，这比上一代的功耗提高了 46%。

“UFS 4.0 提供每通道高达 23.2Gbps 的速度，是之前的 UFS 3.1 的两倍，”三星表示。“这么大的带宽非常适合需要大量数据处理的 5G 智能手机，预计未来的汽车应用、AR 和 VR 也将采用这种带宽。”

速度表现也非常出色，连续读取速度高达 4,200MB/s，顺序写入速度高达 2,800MB/s。上一代UFS 3.1能够承诺高达 1,200 MB/s 的写入速度。将上一代的速度提高一倍以上，同时使用近一半的功率可能会对设备性能产生显着的积极影响。

UFS 4.0 标准规范已获得固态技术协会JEDEC的批准，该协会是一个独立的半导体工程贸易组织和标准化机构。三星表示，UFS 4.0 存储的量产计划于 2022 年第三季度开始，并补充说，它正在与来自世界各地的智能手机和消费设备制造商合作，并正在“大力”创建一个支持 UFS 4.0 的生态系统使在市场上的采用更容易和更快。